Recientemente, China ha desarrollado independientemente un sustrato de sustrato de carburo de silicio de alta pureza de 4 pulgadas disponibles. Se informa que el proyecto de carburo de silicio desarrollado por Shandong Tianyue hizo. Los expertos en la Asociación de la Industria de Materiales Electrónica de China creen que los resultados del nivel nacional líder y han alcanzado el nivel avanzado internacional. Anteriormente, una empresa de Beijing y la Academia de Ciencias de China, desarrolladas con éxito de 2 pulgadas a 6 pulgadas de sustrato de carburo de silicio, completaron nuestro proceso SIC desde cero. Hoy en día, la segunda empresa en nuestro país también se ha dado cuenta de la producción en masa de materiales de carburo de silicio, lo que indica que el desarrollo de materiales de carburo de silicio en nuestro país se está volviendo maduro gradualmente.
Observer Network que informó, Shandong Tianyue es una empresa de fabricación de carburo de silicio y un Centro de Investigación de Materiales de la Universidad de Shandong. La ciencia y la tecnología de los materiales siempre ha sido una de las deficiencias que restringen el desarrollo de la industria militar de China. En enero de 2015, Observer Network informó que Beijing Tianke Heda Bluestar Semiconductor Co., Ltd. y CAS desarrollaron con éxito un sustrato de carburo de silicio de 6 pulgadas y formaron A con una producción anual de 70,000 líneas de producción de carburo de silicio, la compañía fue una vez la única Silicon Carbide Semiconductor Materials Manufacturing Enterprise en China. Sin embargo, las deficiencias de la ciencia y la tecnología de los materiales no solo se reflejan en la tecnología, sino que también se reflejan en la producción. Aunque en comparación con la brecha técnica más baja, pero la red de observadores se enteró de que la nueva línea de producción de Shandong Tianyue alcanzará una producción anual de 40-50 millones de 4 pulgadas. Los productos de carburo de silicio se reducen, saltando en la salida.
Como todos sabemos, la mayoría de los materiales semiconductores actuales son silicio monocristalino. Durante mucho tiempo, el silicio monocristalino de China depende principalmente de las importaciones. En comparación con el silicio de cristal único, la producción y la aplicación de material de carburo de silicio ha sido muy difícil. Los dispositivos de carburo de silicio más desarrollados del mundo son los Estados Unidos, Alemania, Suiza, Japón y otros países, pero hasta ahora la aplicación industrial de carburo de silicio es principalmente como un abrasivo (Emery) para usar. ABB Suiza ha desarrollado con éxito un diodo de carburo de silicio, pero en 2002, debido a las dificultades del proceso, se desconoce el futuro, ABB terminó el proyecto de carburo de silicio, que muestra la dificultad de la investigación y el desarrollo.
El importante valor estratégico del sustrato y el chip de carburo de silicio semiconductores, lo que lo hace siempre la lista de embargo del Departamento de Comercio de los Estados Unidos, lo que también dificulta que nuestro país obtenga los productos correspondientes del extranjero. La segunda empresa de China sobre el éxito de desarrollo de productos de sustrato semi-aislantes de 4 pulgadas semi-aislantes, lo que indica que los productos de oblea de carburo de silicio de China en el proceso y la producción han podido deshacerse de la dependencia de los países extranjeros, a la producción en masa autónoma en masa autónoma y aplicación generalizada.
Las propiedades físicas del carburo de silicio y el silicio son muy diferentes. El carburo de silicio monocristalino tiene muchas propiedades físicas superiores que el silicio monocristalino, como aproximadamente 10 veces la resistencia al campo eléctrico, aproximadamente 3 veces mayor conductividad térmica, aproximadamente 3 veces el ancho de la banda prohibida, aproximadamente el doble de la velocidad de deriva de saturación. Además, aunque los dispositivos de carburo de silicio son mucho más difíciles de procesar que el silicio de cristal único en aplicaciones específicas, una vez que se resuelve el proceso, el proceso de fabricación de los dispositivos de carburo de silicio es corto, el volumen y el peso son pequeños, la vida antioxidación es largo, y la potencia de salida es alta lo hará un material de semiconductores ideal del siglo XXI que es muy superior al silicio de cristal único. Y los materiales de carburo de silicio en el consumo de energía son muy bajos, según la producción anual de 400,000 planes de sustrato de obleas de carburo de silicio, solo utilizada en el campo de iluminación, el consumo anual de energía es equivalente a ahorrar 26 millones de toneladas de carbón estándar, es un Materiales ideales de ahorro de energía.
Comparación de propiedades de materiales de carburo de silicio de cristal único (SIC) y silicio de cristal único (SI)
Por lo tanto, con el rápido desarrollo de la tecnología de comunicación inalámbrica, la demanda de alta densidad de potencia y la rápida velocidad de respuesta de los sistemas de hardware se está volviendo cada vez más urgente. Los transistores a base de materiales a base de silicio tienen dispositivos monocristalinos de arsenuro monocristalinos incomparables en las ventajas de campo de radiofrecuencia de microondas para las comunicaciones aeroespaciales, de microondas, guerra electrónica, aplicaciones de procesamiento de información de gran capacidad. Los radares de matriz en fase para los aviones de combate de cuarta generación del ejército de los EE. UU., Jammers electrónicos y destructores de Aegis han comenzado a renovar sus dispositivos de microondas basados en SIC. Con la mejora de la capacidad de producción de las obleas de carburo de silicio en China, tanto los combatientes nacionales como los buques de guerra podrán reemplazar la "clarividencia" con un mejor rendimiento y reducir la brecha con Estados Unidos en calidad y cantidad.
Además de las aplicaciones militares, los materiales de carburo de silicio también necesitan urgentes semiconductores y poder. Según la introducción del sitio web oficial de Shandong Tianyue, esta es una empresa privada establecida en noviembre de 2010 para desarrollar y producir chips de semiconductores y materiales de sustrato. Es una base industrializada, una empresa de alta tecnología de la Universidad de Shandong, una construcción de marca del negocio de demostración de la provincia de Shandong. En el pasado, la producción de obleas de carburo de silicio solo podía satisfacer las necesidades de los productos militares. La salida anual de 400,000 piezas de chips de carburo de silicio significa que las obleas de carburo de silicio ya no son productos "especiales" para equipos electrónicos de radar militar y su uso puede extenderse para generar electricidad, transmisión de energía, ferrocarril, iluminación y otras áreas civiles, para jugar Un papel más importante en el desarrollo de la economía nacional.
Los materiales de carburo de silicio doméstico ayudan al radar doméstico
Pigmentos anticorrosión, recubrimiento receptivo de inyección de tinta, agente estatoso
